作為新一代半導(dǎo)體的代表材料，氮化鎵（GaN）具有大禁帶寬度、高臨界場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和速率等特性，是制造高功率、高頻電子器件中重要的半導(dǎo)體材料。
半導(dǎo)體加工工藝及其它薄膜加工工藝過(guò)程中，各類(lèi)光刻膠的等離子去除，去除材料表面污染物，保證與其他材料的結(jié)合能力。
隨著技術(shù)的不斷日新月異，半導(dǎo)體IC制程及封裝環(huán)節(jié)精密度要求也隨之提高。半導(dǎo)體芯片制造過(guò)程中殘留的光刻膠會(huì)明顯影響芯片在生產(chǎn)過(guò)程中相關(guān)工藝質(zhì)量，從而降低芯片的可靠性和產(chǎn)品合格率。射頻...
隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，半導(dǎo)體封裝要求越來(lái)越高，而作為提高封裝質(zhì)量的微波等離子清洗成為了不可缺少的工序。清洗的目的是徹底清除設(shè)備表面上的粒子、有機(jī)和無(wú)機(jī)雜質(zhì)，以確保產(chǎn)品質(zhì)量。目前等離子...
隨著混合集成電路向著高性能、高密度、高可靠性以及小型化、低成本的方向發(fā)展，對(duì)芯片的封裝焊接工藝提出了更高的要求，將芯片與基板或管殼互聯(lián)時(shí)，主要有導(dǎo)電膠粘接和共晶焊接兩種方法，今天我...
芯片封裝屬于整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈后段環(huán)節(jié)，封裝材料由最開(kāi)始的金屬封裝，發(fā)展到陶瓷封裝，再到目前占市場(chǎng)95%份額的塑料封裝，其目的都是一致的：保護(hù)芯片、支撐芯片及外形、將芯片的電極和外界...
隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的日益發(fā)展，互連導(dǎo)線寬度與間距越來(lái)越小，集成電路的集成密度越來(lái)越高，同時(shí)帶來(lái)的問(wèn)題是器件的耐靜電擊穿電壓也越來(lái)越低，因此在半導(dǎo)體器件的研制生產(chǎn)過(guò)程中必須重視靜電的...
晶圓制造是一種高精度、高技術(shù)的制造過(guò)程，每一個(gè)步驟都需要嚴(yán)格控制條件，確保芯片的質(zhì)量符合要求。
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