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    晟鼎小講堂丨微波PLASMA在引線鍵合中的應(yīng)用

    微波PLASMA在引線鍵合中的應(yīng)用

    引線鍵合是半導(dǎo)體封裝中應(yīng)用最廣泛的一種鍵合技術(shù),目的是將芯片的輸入輸出端,與引線框架進(jìn)行連接。

    引線鍵合過程中,你是否受到“鍵合分離”的困擾呢?


    究竟是什么導(dǎo)致鍵合分離呢?

    半導(dǎo)體器件鍵合分離是較為常見的失效模式之一。這種失效模式用常規(guī)篩選和測試很難剔除,只有強烈震動下才可能暴露出來,因此對半導(dǎo)體器件的可靠性危害極大。

    可能影響內(nèi)引線鍵合可靠性的因素有:

    01.鍵合區(qū)接觸電阻增加

    鍵合區(qū)光刻膠或鈍化膜未去除干凈,導(dǎo)致接觸電阻增加,使鍵合可靠性降低。

    02.引線框架氧化

    引線框架一般采用銅材料,易與空氣中的水分子、氧元素發(fā)生化學(xué)反,從而產(chǎn)生氧化膜。

    03.制程中的污染

    外界環(huán)境造成的灰塵沾污;

    人體新陳代謝可能造成有機物沾污及鈉沾污。

    在引線鍵合前,進(jìn)行等離子清洗,可有效清除鍵合區(qū)光刻膠,引線框架氧化膜、制程中的有機污染物等,從而達(dá)到提高鍵合強度,減少鍵合分離的目的。


    微波PLASMA解決方案

    01? 微波PLASMA清除殘余光刻膠

    利用微波源振蕩產(chǎn)生的高頻交變電磁場將工藝氣體離子化,與光刻膠產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng),達(dá)到良好的去膠效果,從而降低接觸電阻,使鍵合可靠性增加。

    02? 微波PLASMA處理引線框架氧化

    03? 微波PLASMA去除有機污染物

    微波PLASMA可去除外界環(huán)境造成的灰塵沾污、人體新陳代可能造成有機物沾污及鈉沾污、芯片管殼等來料殘留鍍金液等污染。

    鍵合區(qū)表面附著的有機物與氧氣反應(yīng),產(chǎn)生二氧化碳和水蒸汽排出。

    化學(xué)式1.png

    鍵合區(qū)表面附著的有機物與氫氣反應(yīng),產(chǎn)生甲烷和乙烷氣體排出。

    化學(xué)式2.png


    晟鼎微波PLASMA處理效果

    引線框架處理前 網(wǎng)站.png

    引線框架處理后 網(wǎng)站.png

    結(jié)論:微波Plasma處理引線框架,不但使水滴角降低,還能還原金屬原有的光澤。


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